4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800S 1Rx8 1600 MHz 1.5V CL11
- SO-DIMM (Small Outline Memory)
- 1600 MHz · Unbuffered · Non-ECC · 1.5V
- Für Laptop, Notebook & Netbook
- Markenchips (Samsung, Hynix, Micron)
- Lebenslange Garantie (Garantiebedingungen)
- Einseitig bestückt (1Rx8 Single rank)
- Abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz
Produktdetails
| EAN | 4262360570616 |
| Speichertyp | DDR3 RAM |
| Marke | BRAINZAP |
| Modellnummer | BS-D3-4G-SO-1600-1RX8-N |
| Kompatibel mit | Notebooks - Intel und AMD |
| Speicher-Frequenz | 1600 MHz |
| Modul-Einzelkapazität | 4GB |
| Anzahl Module | 1 |
| Gesamtkapazität | 4GB |
| Speicher-Spezifikation | PC3-12800S-11 |
| JEDEC Norm | PC3-12800S |
| Bauform | SO DIMM 204-pol. |
| Unbuffered | ja |
| ECC | nein |
| Registriert | nein |
| Spannung | 1.5V |
| Latenz (CL) | 11 |
| Chip-Anordnung | 1Rx8 |
| EAN | Nicht zutreffend |
Artikelbeschreibung
Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-1RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.
Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.
Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11.
Das Speichermodul ist einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.
Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix). Sie erhalten eine lebenslange Garantie auf all unsere Speichermodule. Für weitere Informationen zur Garantie lesen Sie bitte die Garantiebedingungen.
- Neuer Speicher.
- Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
- Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.
- Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.
