4GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V CL9
- SO-DIMM (Small Outline Memory)
- 1333 MHz · Unbuffered · Non-ECC · 1.5V
- Für Laptop, Notebook & Netbook
- Markenchips (Samsung, Hynix, Micron)
- Lebenslange Garantie (Garantiebedingungen)
- Doppelseitig bestückt für maximale Kompatibilität
- Abwärtskompatibel zu 1066 MHz
Produktdetails
| EAN | 4262360570210 |
| Speichertyp | DDR3 RAM |
| Marke | BRAINZAP |
| Modellnummer | BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N |
| Kompatibel mit | Notebooks - Intel und AMD |
| Speicher-Frequenz | 1333 MHz |
| Modul-Einzelkapazität | 4GB |
| Anzahl Module | 1 |
| Gesamtkapazität | 4GB |
| Speicher-Spezifikation | PC3-10600S-9 |
| JEDEC Norm | PC3-10600S |
| Bauform | SO DIMM 204-pol. |
| Unbuffered | ja |
| ECC | nein |
| Registriert | nein |
| Spannung | 1.5V |
| Latenz (CL) | 9 |
| Chip-Anordnung | 2Rx8 |
| EAN | Nicht zutreffend |
Artikelbeschreibung
Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.
Die Speicherfrequenz beträgt 1333 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1066 MHz.
Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-10600S-9 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL9.
Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.
Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix). Sie erhalten eine lebenslange Garantie auf all unsere Speichermodule. Für weitere Informationen zur Garantie lesen Sie bitte die Garantiebedingungen.
- Neuer Speicher.
- Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
- Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.
- Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.
